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国产芯片研究新突破！
低于1nm场效应晶体管器件
4月26日，《NatureElectronics》上发表了湖南大学刘渊团队的最新研究。该团队通过使用范德华金属集成的方法，成功将基于MoS2材料的垂直晶体管器件的沟道长度降低到了单原子层（小于1nm）级别。这一重要突破或将芯片性能提升到更高一层台阶。
研究文章显示，垂直晶体管的沟道长度由半导体的厚度决定。然而当前，由于高能金属化工艺往往会造成接触区域的损伤，因此短沟道垂直器件极难制造。
据DeepTech深科技报道，从年纳米的芯片，到年5纳米的海思麒麟芯片，人类的芯片制造工艺在30年间进步迅速。然而，晶体管的物理沟道长度却在近些年来一直保持在20纳米的附近，无法随着工艺节点进一步降低。据了解，物理沟道长度是晶体管的一个关键性能指标：越短的沟道长度，意味着更好的性能。本次刘渊团队采用范德华金属集成技术，创建了沟道长度低至单原子层的MoS2垂直晶体管。
据了解，该方法使用预制的金属电极，该金属电极经过机械层压并转移到MoS2/石墨烯垂直异质结构的顶部，从而使垂直场效应晶体管的开/关比分别为26和，制备出的垂直晶体管沟道长度分别为0.65nm和3.6nm。
此外，利用扫描隧道显微镜和低温电学测量，刘渊团队发现，电学性能的改善源于高质量的金属-半导体界面，导致了隧穿电流和费米能级钉扎效应的最小化。团队认为，这种方法也可以推广到其他层状材料（二硒化钨和二硫化钨）中，从而产生具有亚3nm的p型和n型垂直场效应晶体管。
中国发射首个空间站，高过5层楼
年4月29日上午我国成功发射了首个空间站，搭载着天和核心舱的长征五号B遥二运载火箭，在我国文昌航天发射场点火升空，并在大约秒后，与火箭成功分离，进入预定轨道。
据央视网
小央视频介绍，天和核心舱全长达到16.6米，竖立起来比5层楼还要高；最大直径4.2米，比高铁车厢的宽度还要大；空间至少有50立方米，可以供三名航天员长期在轨驻留；起飞质量22.5吨。天和核心舱也是是目前中国自主研制的规模最大、系统最复杂的航天器。
据官方介绍，天和核心舱是中国空间站发射入轨的首个舱段，主要用于空间站统一控制和管理，具备长期自主飞行能力，能支持航天员长期驻留，开展航天医学、空间科学实验和技术试验。
后续，我国还将在今明两年内，通过11次飞行任务完成中国空间站的在轨建造，包括1个核心舱和2个实验舱、4艘货运飞船以及4艘载人飞船，届时将组成完整的空间站。
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